純乙烷在CRF等離子體表面處理儀在低溫常壓下作用下可發(fā)生脫氫反應(yīng)：
       在大氣壓脈沖CRF等離子體表面處理儀電暈條件下，C2H6轉(zhuǎn)化率和C2H2收率隨能量密度增加而不斷增加，C2H4收率略有增加，而 CH4收率隨等離子體能量密度的增加變化不大。當(dāng)?shù)入x子體能量密度為860kJ/mol 時(shí)，C2H6轉(zhuǎn)化率為23.2%，C2H4和C2H2收率之和為11.6%。一般認(rèn)為在流動(dòng)式等離子體反應(yīng)器中，當(dāng)反應(yīng)氣體流速一定時(shí)，體系中高能電子密度及其平均能量主要決定于等離子體能量密度。等離子體功率增加，體系內(nèi)高能電子密度及其平均能量增大，高能電子與C2H6分子的彈性和非彈性碰撞概率及所傳遞能量增加， C2H6的C-H鍵及C-C鍵斷裂可能性增大，其斷裂所形成的自由基濃度亦隨之增大，自由基復(fù)合形成產(chǎn)物的概率隨之增大。因此C2H6轉(zhuǎn)化率及C2H2收率隨著CRF等離子體表面處理儀功率增加呈上升趨勢。C2H4收率和CH4收率隨等離子體注入功率的增加上升趨勢不明顯可能與C2H4和CH4是反應(yīng)的初級反應(yīng)產(chǎn)物，并且C2H2穩(wěn)定性較高有關(guān)。

化學(xué)鍵 解離能/（kJ/mol) 解離能/（eV/mol)
CH3—CH3 367.8 3.8
C2H5—H 409.6 4.2
CH2=CH2 681.3 7.1
C2H3—H 434.7 4.5
CH≡CH 964.9 10.0
C2H—H 501.7 5.2
        純C2H6在CRF等離子體表面處理儀條件下轉(zhuǎn)化反應(yīng)的主要?dú)庀喈a(chǎn)物是：C2H4、C2H2、H2和 CH4，固體產(chǎn)物是積碳。